SI3905DV-T1-E3
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | SI3905DV-T1-E3 |
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Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET 2P-CH 8V 6-TSOP |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 450mV @ 250µA (Min) |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 6-TSOP |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 2.5A, 4.5V |
Leistung - max | 1.15W |
Verpackung / Gehäuse | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
FET-Merkmal | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 8V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | - |
Konfiguration | 2 P-Channel (Dual) |
Grundproduktnummer | SI3905 |
SI3905DV-T1-E3 Einzelheiten PDF [English] | SI3905DV-T1-E3 PDF - EN.pdf |
MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP
MOSFET 2P-CH 20V 6TSOP
MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP
SI3905DV-T1 SILICON
MOSFET 2P-CH 20V 6TSOP
VISHAY 6-TSOP
MOSFET 2P-CH 8V 6-TSOP
SILICONIX SOT163
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SI3900DV VISHAY
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SI3911DV SI
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
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Zielpreis (USD)
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